MOS电容总结
\(MOS\)电容
1. 栅沟电容\(C_{GC}\)(与\(MOS\)管工作状态有关)
| \(MOS\)工作状态 | 电容分布 | 大小 |
|---|---|---|
| 截止区 | 栅—衬底\(C_{GCB}\) 电容 | \(C_{ox}WL\) |
| 线性区 | 栅—源+栅—漏 \(C_{GCD}\) 电容 | \(C_{ox}WL\) |
| 饱和区 | 栅—源 \(C_{GCS}\)电容 | \(\frac{2}{3}C_{ox}WL\) |
\[ C_{GC}=C_{GCD}+C_{GCB}+C_{GCS} \]
2. 覆盖电容(栅—源、栅—漏)
| 分布 | 符号 | 大小 |
|---|---|---|
| 栅—源 | \(C_{GSO}\) | \(C_{ox}x_dW=C_oW\) |
| 栅—漏 | \(C_{GDO}\) | \(C_{ox}x_dW=C_oW\) |
3. 结电容(扩散电容)
| 电容分布 | 大小 | |
|---|---|---|
| 底板电容 | 源—衬底、漏—衬底 | \(C_jWL_s\) |
| 侧壁电容 | 源—衬底、漏—衬底 | \(C'_{sw}x_j(2L_s+W)\) \(=C_{jsw}(2L_s+W)\) |
\[ C_{diff}= C_{bottom}+C_{sidewall}=C_j×面积+C_{jsw}×周长\\ \quad=C_jWL_s+C_{jsw}(2L_s+W) \]
注：
| 符号 | 含义 |
|---|---|
| \(C_j\) | 每单位面积的结电容 |
| \(C_{jsw}\) | \(sidewall\)每单位周长的结电容 |